[发明专利]量子点阵列电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点阵列电容器，其特征在于，所述电容器包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一导电层；

位于所述第一导电层上的第一介电层；

位于所述第一介电层上的第二导电层；

位于所述第二导电层上的第二介电层；以及

交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；

其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列；所述金字塔顶点为抛物线形。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第一导电层包括金字塔型。

3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第一介电层包括金字塔型。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第二导电层为金字塔型。

5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第二介电层包括金字塔型。

6.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述半导体衬底包括硅晶圆。

7.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型包括倒立金字塔型。

8.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔的高度与底部长度之比值为0.6到0.8。

9.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型的边长为10纳米到1微米。

10.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型阵列各金字塔之间的距离为4纳米到60纳米。

11.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述抛物线的曲率为2纳米到10纳米。

12.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔型的边长为10纳米到1微米。

13.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔型结构各金字塔之间的距离为4纳米到60纳米。

14.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔顶点为抛物线形。

15.根据权利要求14所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔顶点处的抛物线的曲率为2纳米到10纳米。

16.根据权利要求1-15任一项所述的电容器，其特征在于：所述导电层的材料包括单晶硅、多晶硅或金属。

17.根据权利要求16所述的电容器，其特征在于：所述金属包括钛、铝、铜或铌。

18.根据权利要求1-15任一项所述的电容器，其特征在于：所述介电层的材料包括金属氧化物、氮化硅、聚酰亚胺、钛酸钡或锆酸钛酸铅。

19.根据权利要求18所述的电容器，其特征在于：所述金属氧化物包括二氧化硅。

20.一种量子点阵列电容器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成第二导电层；

在所述第二导电层上形成第二介电层；以及

交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；

其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列；所述金字塔顶点为抛物线形。