[发明专利]压接方法以及压接装置在审

专利信息
申请号: 201910331476.6 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN110544635A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 辻泽孝文;山田真五;松尾畅也 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/67
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘文海<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种容易使多个基板的生产条件相等的压接方法。该压接方法包括:第一支承工序(S11),由第一支承部(53A)支承第一基板(7A)的下表面;吸附工序(S12),以维持第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承的状态的方式,使第一吸引部(53C)吸附第一基板(7A);第二支承工序(S13),通过第一吸引部(53C)的吸附,第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承时,由第二支承部(53B)支承被第二保持部(54B)保持的第二基板(7B)的下表面;压接工序(S14),将压接对象物压接到第一基板(7A),将压接对象物压接到第二基板(7B)。
搜索关键词: 支承 第一基板 压接 支承部 吸附 第二基板 对象物 下表面 多个基板 生产条件 相等 吸引
【主权项】:
1.一种压接方法,是压接装置将压接对象物分别压接到第一基板以及第二基板的方法,所述压接装置具备第一保持部和第二保持部,所述第一保持部与所述第一基板的下表面的一部分抵接,用于保持所述第一基板,所述第二保持部与第二基板的下表面的一部分抵接,用于保持所述第二基板,/n所述压接方法包括:/n第一支承工序,使包括所述第一保持部以及所述第二保持部的保持机构移动,由第一支承部支承被所述第一保持部保持的所述第一基板的下表面;/n第一吸附工序,以维持所述第一基板的下表面由所述第一支承部支承的状态的方式,使第一吸引部吸附所述第一基板,并且解除所述第一保持部对所述第一基板的保持;/n第二支承工序,通过所述第一吸引部的吸附,所述第一基板的下表面由所述第一支承部支承时,使所述保持机构移动,由第二支承部支承被所述第二保持部保持的所述第二基板的下表面;以及/n压接工序,在所述第一基板的上表面压接第一压接对象物,所述第一基板被所述第一吸引部吸附且被所述第一支承部支承,在所述第二基板的上表面压接第二压接对象物,所述第二基板被所述第二保持部保持且被所述第二支承部支承。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社,未经松下知识产权经营株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910331476.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 半导体元件接合用基板、半导体装置及电力转换装置-201780091304.5
  • 石川悟 - 三菱电机株式会社
  • 2017-06-02 - 2020-01-17 - H01L21/52
  • 本发明的目的在于提供一种对通过焊料将半导体元件接合于基板时的缩孔的产生进行抑制,并且使半导体元件的散热性提高的半导体元件接合用基板、半导体装置及电力转换装置。本发明所涉及的半导体元件接合用基板(100)具备绝缘板(1)和与绝缘板(1)的主面接合的金属图案(2),金属图案(2)的与绝缘板(1)相反侧的主面(6)具备供半导体元件(4)通过焊料(5)进行接合的接合区域(6a),金属图案(2)具备配置于主面(6)的至少一个凹坑(7),至少一个凹坑(7)在接合区域(6a)内与接合区域(6a)的中央部分相比配置为更靠近接合区域(6a)的边缘。
  • 结构体的制造方法及结构体-201880033360.8
  • 永口悠二;瀬山耕平;中村智宣;菊池広;岛津武仁;鱼本幸 - 株式会社新川;国立大学法人东北大学
  • 2018-05-24 - 2020-01-03 - H01L21/52
  • 本发明为一种将基体(10、20)进行原子扩散接合的结构体(1)的制造方法,其包括:在基体(10)的表面涂布液状树脂(11a)的步骤;通过液状树脂(11a)的表面张力,使液状树脂(11a)的表面平滑化的步骤;将液状树脂(11a)硬化而形成树脂层(11)的步骤;在树脂层(11)的表面形成金属薄膜(12)的步骤;在基体(20)的表面形成金属薄膜(21)的步骤;以及将基体(10)的金属薄膜(12)与基体(20)的金属薄膜(21)密接而进行原子扩散接合的步骤。由此,即便是构件的薄膜形成面不平滑的情况,也可通过原子扩散接合来进行接合。
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置-201610236042.4
  • 高野勇佑;渡部武志 - 东芝存储器株式会社
  • 2016-04-15 - 2019-12-13 - H01L21/52
  • 本发明的实施方式提供一种在外观检查步骤中容易发现不良的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括将半导体芯片搭载于衬底的第1面上,所述衬底具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面及侧面,所述侧面位于所述第1面与所述第2面之间。在半导体芯片上形成树脂部,所述树脂部将半导体芯片的第1面密封。在树脂部的上表面上及树脂部的侧面上,形成导电性膜,所述导电性膜电连接于接地电位源。在含氧或氮的环境中,使金属在导电性膜上成膜,由此在导电性膜上形成金属氧化膜或金属氮化膜。
  • 压接方法以及压接装置-201910331476.6
  • 辻泽孝文;山田真五;松尾畅也 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2019-04-23 - 2019-12-06 - H01L21/52
  • 提供一种容易使多个基板的生产条件相等的压接方法。该压接方法包括:第一支承工序(S11),由第一支承部(53A)支承第一基板(7A)的下表面;吸附工序(S12),以维持第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承的状态的方式,使第一吸引部(53C)吸附第一基板(7A);第二支承工序(S13),通过第一吸引部(53C)的吸附,第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承时,由第二支承部(53B)支承被第二保持部(54B)保持的第二基板(7B)的下表面;压接工序(S14),将压接对象物压接到第一基板(7A),将压接对象物压接到第二基板(7B)。
  • 半导体装置以及电力转换装置及半导体装置的制造方法-201880021844.0
  • 巽裕章 - 三菱电机株式会社
  • 2018-04-26 - 2019-11-29 - H01L21/52
  • 向半导体元件或导体部件中的任意一方之上供给包括包含第一金属的第一粒子、包含熔点比所述第一金属低的第二金属的第二粒子和填充树脂的接合材料,在供给的所述接合材料的表面形成空隙。在形成有所述空隙的所述接合材料之上载置并按压所述导体部件或者所述半导体元件中的任意另一方,使偏分布于所述接合材料的表面的所述填充树脂移动至所述空隙,在接合温度下进行加热。据此,能够抑制填充树脂的偏分布,并通过利用包含第一金属和第二金属的金属间化合物使第一粒子彼此结合的连接构造将半导体元件和导体部件可靠地接合,能够得到接合可靠性高的半导体装置。
  • 一种薄型PLC晶圆与盖板粘接工艺-201810426523.0
  • 叶建国;陈文铨 - 无锡天创光电科技有限公司
  • 2018-05-07 - 2019-11-15 - H01L21/52
  • 本发明提供一种薄型PLC晶圆与盖板粘接工艺,包括以下步骤:S1:把晶圆放置在粘接夹具的底座上;S2:将包括氰基丙烯酸酯分子的UV胶水通过注射器点在晶圆的正中间;S3:将1mm厚度的石英玻璃盖板轻轻盖在经过S2步骤的晶圆上;S4:将粘接夹具的上盖盖压在经过S3步骤的晶圆上,并且上盖需与粘接夹具上定位孔对准,并用力将粘接夹具周围的固定螺栓拧紧;S5:静置等待15min;S6:15min后观察盖板下方胶水是否扩散至晶圆边缘并溢出;S7:卸掉上盖,取下晶圆;S8:将晶圆放入曝光箱,通过15min的充分曝光,固化UV胶水。本发明能够有效地降低不良品、提高生产效率,并且能够减少刀片和晶圆的非正常损耗,同时能够降低生产耗材的用量。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top