[发明专利]压接方法以及压接装置在审
申请号: | 201910331476.6 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110544635A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 辻泽孝文;山田真五;松尾畅也 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/67 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘文海<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种容易使多个基板的生产条件相等的压接方法。该压接方法包括:第一支承工序(S11),由第一支承部(53A)支承第一基板(7A)的下表面;吸附工序(S12),以维持第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承的状态的方式,使第一吸引部(53C)吸附第一基板(7A);第二支承工序(S13),通过第一吸引部(53C)的吸附,第一基板(7A)由第一支承部(53A)支承时,由第二支承部(53B)支承被第二保持部(54B)保持的第二基板(7B)的下表面;压接工序(S14),将压接对象物压接到第一基板(7A),将压接对象物压接到第二基板(7B)。 | ||
搜索关键词: | 支承 第一基板 压接 支承部 吸附 第二基板 对象物 下表面 多个基板 生产条件 相等 吸引 | ||
【主权项】:
1.一种压接方法,是压接装置将压接对象物分别压接到第一基板以及第二基板的方法,所述压接装置具备第一保持部和第二保持部,所述第一保持部与所述第一基板的下表面的一部分抵接,用于保持所述第一基板,所述第二保持部与第二基板的下表面的一部分抵接,用于保持所述第二基板,/n所述压接方法包括:/n第一支承工序,使包括所述第一保持部以及所述第二保持部的保持机构移动,由第一支承部支承被所述第一保持部保持的所述第一基板的下表面;/n第一吸附工序,以维持所述第一基板的下表面由所述第一支承部支承的状态的方式,使第一吸引部吸附所述第一基板,并且解除所述第一保持部对所述第一基板的保持;/n第二支承工序,通过所述第一吸引部的吸附,所述第一基板的下表面由所述第一支承部支承时,使所述保持机构移动,由第二支承部支承被所述第二保持部保持的所述第二基板的下表面;以及/n压接工序,在所述第一基板的上表面压接第一压接对象物,所述第一基板被所述第一吸引部吸附且被所述第一支承部支承,在所述第二基板的上表面压接第二压接对象物,所述第二基板被所述第二保持部保持且被所述第二支承部支承。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造