[发明专利]一种横向有序GaN微米线阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201910249708.3 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109979803B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 宋伟东;孙一鸣;李述体;罗幸君;张业龙;陈钊;高妍;郭月;王波;张弛;陈浩;曾庆光 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30;C23C16/513;C30B23/02;C30B29/40;C30B29/64;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭晓欣 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向有序GaN微米线阵列，其包括：衬底(1)和GaN微米线阵列，GaN微米线(4)的轴向与衬底(1)所处的平面的夹角不超过15°，制备方法包括以下步骤：(A)在衬底(1)上形成掩膜层(2)；(B)在掩膜层(2)上刻蚀形成图案，将图案刻蚀形成凹槽；(C)在凹槽内生长出横向有序GaN微米线阵列。本发明利用GaN材料在硅不同晶面的异质外延特性，在不引入任何催化剂的前提下，在硅图形衬底上制备出横向有序的GaN微米线阵列。该方法可制备出高质量、大纵横比的晶体，且密度、尺寸等特性灵活可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 有序 gan 微米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向有序GaN微米线阵列，其特征在于，其包括：衬底(1)和GaN微米线阵列，GaN微米线(4)的轴向与衬底(1)所处的平面的夹角不超过15°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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