[发明专利]双面电容结构及其形成方法、DRAM存储器在审
| 申请号： | 201910249105.3 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111755381A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种双面电容结构及其形成方法、DRAM存储器，其中所述电容结构的形成方法，在所述半导体衬底上形成导电支撑层；刻蚀所述导电支撑层，在所述导电支撑层中形成若干电容孔，电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；在所述电容孔中形成双面电容。通过形成导电支撑层，由于导电支撑层具有导电的性能，因而在采用等离子刻蚀工艺刻蚀所述导电支撑层形成电容孔时，能有效降低使用氧化硅等绝缘材料作为牺牲层时带来的电荷累积效应，降低对高深宽比接触蚀刻的抑制，从而防止导电支撑层中形成的电容孔产生锥形形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电容 结构 及其 形成 方法 dram 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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