[发明专利]一种大高径比霍尔推力器的磁屏结构有效
申请号: | 201910204522.6 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN111219304B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 丁永杰;李鸿;魏立秋;于达仁 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | F03H1/00 | 分类号: | F03H1/00 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 李恩庆 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种大高径比霍尔推力器的磁屏结构,属于霍尔推力器技术领域。本发明解决现有采用大高径比设计霍尔推力器通道中径处的轴向磁场梯度低,推力器性能低的问题。本发明包括内磁屏、外磁屏和支撑件,内磁屏、外磁屏的圆心与支撑件的圆心重合,并且内磁屏、外磁屏和支撑件之间通过勾脚和扣槽的相互扣合固定构成内外嵌套的圆筒形结构。本发明在霍尔推力器采用大高径比设计的过程中,将内磁屏和外磁屏不用同一底面连接,不仅具有采用大高径比设计霍尔推力器的提高推力器推重比、减弱壁面侵蚀等优点,使得航天飞行器的有效载荷、使用寿命和机动灵活性有所提高,同时也提高了采用大高径比设计霍尔推力器通道中径处的轴向磁场梯度,提高了推力器的工作性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 大高径 霍尔 推力 结构 | ||
【主权项】:
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