[发明专利]一种铜-铜键合的方法在审
| 申请号： | 201910132238.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111613542A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王英辉;陆阳婷 | 申请（专利权）人： | 中科院微电子研究所昆山分所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铜‑铜键合的方法，包括以下步骤：a)在衬底上依次沉积Ti缓冲层和铜薄膜层，得到待键合样品；b)将两个步骤a)得到的待键合样品的铜薄膜层相对放置，在惰性气体保护条件下依次进行甲酸处理和加压处理，得到键合后的产品。与现有技术相比，本发明提供的铜‑铜键合的方法通过甲酸处理，使待键合样品表面铜薄膜层上的氧化物实现彻底去除，同时提高铜薄膜层表面粗糙度和平均面积，有利于后续加压处理；从而在避免铜氧化的基础上，能够实现低温直接键合，并且本发明提供的铜‑铜键合的方法键合质量好、成功率高，对器件的性能的影响较低，同时工艺简单、成本低，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
