[发明专利]一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910064334.8 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109879239B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;韩香广;李雪娇;郭鑫;皇咪咪;卢德江;王久洪;赵玉龙;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;B81C3/00;G01L1/10;G01L9/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括谐振层和承压膜片，谐振层包括谐振梁和平衡梁，四根谐振梁组成一组H型梁，H型梁共有两组且对称设置，谐振梁端部均固定在平衡梁上，两根平衡梁通过谐振梁的延伸部分与刚性质量块连接，相邻的谐振梁之间设置有质量块，质量块中部设置有耦合梁，耦合梁中部设置有拾振电阻，位于外侧的两个质量块分别与两个可动电极固定连接。当压力施加在承压膜片加载时，谐振梁受压产生形变，导致谐振梁的固有频率发生改变，同时通过固定电极激励谐振梁振动，谐振状态时，耦合梁上拾振电阻分别循环处于受压/受拉状态，基于压阻效应使得拾振电阻值发生变化，从而拾取谐振梁固有频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 受压 梁硅微 谐振 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，包括谐振层(3)和承压膜片(2)，承压膜片(2)上固定有锚点(20)；谐振层(3)包括谐振梁(9)和平衡梁(15)，四根谐振梁(9)组成一组H型梁，H型梁共有两组且对称设置，谐振梁(9)一端固定在平衡梁(15)上，两根平衡梁(15)通过谐振梁(9)的延伸部分与刚性质量块(8)连接，相邻的谐振梁(9)之间设置有质量块(10)，位于中部的质量块(10)中部设置有耦合梁(13)，耦合梁(13)中部设置有拾振电阻(18)，位于外侧的两个质量块(10)分别与两个可动电极(12)固定连接，两个刚性质量块(8)靠近谐振梁(9)的一端分别与两个固定电极(11)的两端连接，刚性质量块(8)通过扭转梁(7)、连接梁(6)与连接点(5)固定连接，连接点(5)固定在锚点(20)上。
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