[发明专利]待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置

摘要

本发明公开了一种待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置，在待光刻基板中设置第一双曲色散材料层，该第一双曲色散材料层位于第一基底与光刻胶之间，可以限制通过光刻胶层的局域光场的发射，在光刻模板中设置第二双曲色散材料层，该第二双曲色散材料层位于光刻胶层的入光侧，可以在局域光场入射光刻胶层前限制局域光场的发散，故采用本发明技术方案所述待光刻基板和所述光刻模板，可以延长近场扫描光刻中的焦深，可以提高光刻胶层的曝光质量，并大大提高近场扫描光刻的有效工作距离。

主权项

1.一种待光刻基板，其特征在于，所述待光刻基板包括：第一基底；设置在所述第一基底表面的第一双曲色散材料层；设置在所述第一双曲色散材料层背离所述第一基底一侧表面的光刻胶层；其中，对所述待光刻基板进行近场扫描光刻时，所述待光刻基板用于与光刻模板相对设置，所述光刻模板用于提供局域光场照射所述光刻胶层；所述第一双曲色散材料层用于限制所述局域光场的发散。