[发明专利]IGBT复合元胞结构及其构成的可编程IGBT

摘要

本发明公开了一种IGBT复合元胞结构，第一元胞结构包括金属电极上形成有集电极，集电极上形成有缓冲层，缓冲层形成有漂移区，漂移区上形成有体区，第一沟槽设置在漂移区和体区中，第一沟槽两侧的体区中形成有发射极，第一沟槽内壁形成有栅氧化层，栅氧化层内形成有多晶硅，层间介质设置在第一沟槽上的金属电极中；第二元胞结构包括金属电极上形成有集电极，集电极上形成有缓冲层，缓冲层上形成有漂移区，漂移区上形成有体区，第二沟槽设置在漂移区和体区中，第二沟槽内壁形成有栅氧化层，栅氧化层内填充多晶硅，层间介质设置在第一沟槽上的金属电极中。以及，一种具有所述IGBT复合元胞结构的可编程IGBT。本发明能根据负载工况调整IGBT的额定电流和电容参数。

主权项

1.一种IGBT复合元胞结构，其特征在于，包括第一元胞结构(A)和第二元胞结构(B)；所述第一元胞结构(A)包括金属电极(4)上形成有集电极(9)，集电极(9)上形成有缓冲层(8)，缓冲层(8)上形成有漂移区(7)，漂移区(7)上形成有体区(6)，第一沟槽设置在漂移区(7)和体区(6)中，第一沟槽两侧的体区(6)中形成有发射极(5)，第一沟槽内壁形成有栅氧化层(2)，栅氧化层(2)内形成有多晶硅(1)，层间介质(3)设置在第一沟槽上的金属电极(4)中；所述第二元胞结构(B)包括金属电极(4)上形成有集电极(9)，集电极(9)上形成有缓冲层(8)，缓冲层(8)上形成有漂移区(7)，漂移区(7)上形成有体区(6)，第二沟槽设置在漂移区(7)和体区(6)中，第二沟槽内壁形成有栅氧化层(2)，栅氧化层(2)内填充多晶硅(1)，层间介质(3)设置在第一沟槽上的金属电极(4)中。