[发明专利]纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法在审
| 申请号： | 201910032180.4 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109541885A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 贺芳;尹东升;顾仁权;何伟;徐胜;吴慧利;李士佩;黎午升;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;贾玉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，属于显示技术领域，纳米图案的拼接方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行构图，形成对应衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区；减薄第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶；在衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层，压印胶层覆盖光刻胶去除区和与光刻胶去除区邻接的部分光刻胶保留区；以压印图案为掩膜，对光刻胶去除区的第一膜层进行刻蚀，形成第一纳米图案；重复执行上述步骤，形成拼接的第一纳米图案。本发明通过减薄第一光刻胶层上的光刻胶，降低了待图案化区域边界处的段差。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米图案 光刻胶 衬底基板 光刻胶层 拼接 光刻胶去除 保留区 图案化区域 光栅 第一膜层 压印图案 压印板 压印胶 减薄 重复执行 边界处 胶去除 邻接 段差 刻蚀 掩膜 制作 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种纳米图案的拼接方法，其特征在于，包括：区域界定步骤：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层，采用光刻工艺，对所述第一光刻胶层进行构图，形成对应所述衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应所述衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区；光刻胶减薄步骤：减薄所述第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶；压印胶层形成步骤：在所述衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层，所述压印胶层覆盖所述光刻胶去除区和与所述光刻胶去除区邻接的部分所述光刻胶保留区；刻蚀步骤：以所述压印图案为掩膜，对所述光刻胶去除区的所述第一膜层进行刻蚀，形成第一纳米图案；拼接步骤：重复执行所述区域界定步骤、所述光刻胶减薄步骤、压印胶层形成步骤和刻蚀步骤，形成拼接的第一纳米图案。
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