[发明专利]形成存储器堆叠结构的方法有效
| 申请号： | 201910030825.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435658B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘玮鑫;邱达伟;张家隆;陈柏均;方宏义;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成存储器堆叠结构的方法，其包含有下述步骤。首先，提供一基底，其中基底包含一第一区以及一第二区。接着，形成多个图案于第一区的基底上以及一毯覆式堆叠结构于第二区的基底上。接续，形成一有机介电层覆盖此些图案、毯覆式堆叠结构以及基底。之后，以有机介电层作为一硬掩模层，图案化毯覆式堆叠结构，因而形成多个堆叠结构。其后，移除有机介电层。而后，形成一介电层全面覆盖此些图案、此些堆叠结构以及基底。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储器 堆叠 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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