[发明专利]泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201910007237.5 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109553076A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杜卫民;顾永攀;魏少红;张道军;曹智 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。以泡沫镍为镍源，硒粉为硒源，采用乙二胺溶剂热法制备泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列。本发明方法简单、成本低，能很好地控制晶体的生长，制备的二硒化三镍为一维的单晶线状结构，该纳米线的直径为30‑‑50纳米，长度可达4‑6微米。这种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列结构在锂离子电池、超级电容器、电解水制氢等电化学领域具有明显的应用优势。 | ||
| 搜索关键词： | 泡沫镍 单晶 硒化 镍纳米线阵列 制备 支撑 纳米材料制备技术 超级电容器 电化学领域 锂离子电池 控制晶体 线状结构 应用优势 电解水 纳米线 溶剂热 乙二胺 镍源 硒粉 硒源 制氢 生长 | ||
【主权项】：
1.一种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）化学反应液的配制：将硒源和乙二胺溶剂混合，配制成反应溶液；其中硒源在溶液中的含量为0.5 g/L ～ 2.0 g/L； 2）泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列的合成：将反应液移入带有聚四氟乙烯内胆的反应釜中，再将预处理的泡沫镍放入其中，在160‑180℃条件下溶剂热反应，反应结束后，反应釜自然冷却，将泡沫镍经洗涤，真空干燥，得单晶二硒化三镍纳米线阵列。
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