[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法在审
申请号: | 201880080335.5 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN111492091A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 森晓;武田拓真 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C9/00;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁兴利;康泉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成:作为金属成分,以20原子%以上且40原子%以下的范围含有Ga,并且以合计0.05原子%以上且1.0原子%以下的范围含有Na及K,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,在Cu‑Ga合金的母相中分散有由钠盐或钾盐构成的碱金属盐粒子,所述碱金属盐粒子的最大粒径设为30μm以下,所述Cu‑Ga合金溅射靶的相对密度设为97%以上。 | ||
搜索关键词: | cu ga 合金 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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