[发明专利]钎焊接头和钎焊接头的形成方法有效
| 申请号： | 201880070809.8 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111344844B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 上岛稔;立花芳惠 | 申请（专利权）人： | 千住金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K1/00;B23K1/008;B23K35/26;C22C13/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供：形成钎焊接头时的背面金属与软钎料合金的剥离被抑制、且通过抑制软钎料合金的不润湿、熔融软钎料的飞散、和芯片裂缝所导致的电子部件的破损从而可靠性优异的钎焊接头；和，钎焊接头的形成方法。钎焊接头以软钎料合金接合具备背面金属的电子部件与基板。软钎料合金具备：软钎料合金层、Sn‑Sb金属间化合物相、背面金属侧金属间化合物层、基板侧金属间化合物层，所述软钎料合金层具有以质量％计Ag：2～4％、Cu：0.6～2％、Sb：9.0～12％、Ni：0.005～1％和余量由Sn组成的合金组成。在Sn‑Sb金属间化合物相与背面金属侧金属间化合物层之间、和Sn‑Sb金属间化合物相与基板侧金属间化合物层之间中的至少一者中夹设有软钎料合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 钎焊 接头 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
