[发明专利]耐等离子性涂膜的制造方法及据此形成的耐等离子性构件在审
| 申请号： | 201880069012.6 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111279455A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张大勳;高贤哲;金东柱;朴祥圭 | 申请（专利权）人： | KOMICO有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种耐等离子性涂膜的制造方法，其特征在于，包括：(1)在涂布对象物上，将第一稀土类金属化合物通过热喷涂工艺形成第一稀土类金属化合物涂层的步骤；(2)对所述(1)步骤中形成的第一稀土类金属化合物涂层的表面进行抛光(polishing)的步骤；及(3)使第二稀土类金属化合物在执行了所述(2)步骤的加工的第一稀土类金属化合物涂层上进行气溶胶沉积，形成第二稀土类金属化合物涂层的步骤；所述第二稀土类金属化合物是与所述第一稀土类金属化合物相同的成分。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 性涂膜 制造 方法 据此 形成 构件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
