[发明专利]吸附平台有效
| 申请号： | 201880062674.0 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111149197B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 小林泰人;马诘邦彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 吸附平台(20)包括：上板(21)，设置有多个吸附孔(22)；第一真空流路～第三真空流路(41～43)，将设置于上板(21)中的多个吸附孔(22)以对应于半导体晶粒的尺寸的多个群组(A1～A3)的形式分别与真空装置(45)连接；以及第一止回阀、第二止回阀(61、62)，设置于第二真空流路、第三真空流路(42、43)，且在吸附孔(22)朝大气敞开的情况下，第一止回阀、第二止回阀(61、62)变成关闭，若吸附孔(22)由半导体晶粒阻塞，则第一止回阀、第二止回阀(61、62)变成打开。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附 平台 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
