[发明专利]具有电介质阻挡层的自选存储器单元

摘要

自选存储器单元可由存储器材料构成，所述存储器材料基于施加在其上的电压的极性来改变阈值电压。这类存储器单元可在存储器阵列中形成在导电柱与电极平面的相交点处。电介质材料可形成于所述存储器单元的所述存储器材料与所述对应电极平面之间。所述电介质材料可形成阻挡层，所述阻挡层防止所述存储器材料与构成所述电极平面的材料之间的有害相互作用。在一些情况下，所述电介质材料也可安置于所述存储器材料与所述导电柱之间以形成第二电介质阻挡层。所述第二电介质阻挡层可增大所述存储器阵列的对称性或防止所述存储器材料与电极圆柱体之间的或所述存储器材料与所述导电柱之间的有害相互作用。