[发明专利]测量光栅上薄膜及光栅上带隙在审
| 申请号： | 201880052036.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111052327A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | H·舒艾卜;谭正泉 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中所揭示的方法及系统可测量半导体中的薄膜堆叠，例如光栅上膜及光栅上带隙。例如，所述薄膜堆叠可为1D膜堆叠、2D光栅上膜或3D光栅上膜。为所述膜堆叠创建一或多个有效介质分散模型。每一有效介质分散模型可替代一或多个层。可使用基于有效介质分散的散射测量模型确定一或多个层的厚度。在一实例中，开发三种基于有效介质分散的散射测量模型并将其用于确定膜堆叠中的三个层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 光栅 薄膜 上带隙 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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