[发明专利]基板有效

申请号：	201880051202.5	申请日：	2018-08-14
公开（公告）号：	CN111033377B	公开（公告）日：	2023-10-13
发明（设计）人：	宋哲沃;李承宪;黄智泳;徐汉珉;裴南锡;朴镇宇;柳正善	申请（专利权）人：	株式会社LG化学
主分类号：	G03F1/58	分类号：	G03F1/58;G03F1/60;G03F7/00;G03F7/20
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	梁笑;尚光远
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请提供了基板及其生产方法。本申请可以在具有包括依次形成的基础层、黑层和间隔物的结构的基板中提供具有优异的所述间隔物对所述基础层或所述黑层的粘合性且确保适当的暗化特性的基板，并且还可以提供能够在没有单独处理例如热处理的情况下有效地生产这样的基板而没有不利影响例如出现异物的生产方法。
搜索关键词：	基板
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基板-201880051202.5
发明人：宋哲沃;李承宪;黄智泳;徐汉珉;裴南锡;朴镇宇;柳正善 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/58
摘要：本申请提供了基板及其生产方法。本申请可以在具有包括依次形成的基础层、黑层和间隔物的结构的基板中提供具有优异的所述间隔物对所述基础层或所述黑层的粘合性且确保适当的暗化特性的基板，并且还可以提供能够在没有单独处理例如热处理的情况下有效地生产这样的基板而没有不利影响例如出现异物的生产方法。

光掩模坯、光掩模、曝光方法、以及器件的制造方法-201880043992.2
发明人：小泽隆仁;宝田庸平;林贤利;八神高史 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G03F1/58
摘要：光掩模坯具有基板，并且从上述基板侧起依次至少具有第1层和第2层，上述第1层含有铬，上述第2层含有铬和氧，上述第2层的表面的算术平均高度为0.245nm以上。

远紫外掩模吸收剂材料-202180031444.X
发明人：刘世宇;刘树围;维布什·金达尔;阿泽丁·泽拉德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F1/58
摘要：公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外(EUV)掩模坯料制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂。吸收剂包括多个双层，双层包括硅的第一层和选自下方群组的第二层，群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。

反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法-202080086842.7
发明人：松井一晃;小岛洋介 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/58
摘要：本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜(B)的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜(B)含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

大型光掩模-201980032507.6
发明人：今野冬木;三好建也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F1/58
摘要：本发明提供一种大型光掩模，其特征在于，其为包含透光性基板、及设于上述透光性基板的表面的遮光图案的大型光掩模，上述遮光图案具有第1低反射膜、遮光性膜及第2低反射膜自上述透光性基板侧起按照该顺序层叠而成的层叠结构，且上述遮光图案的上述透光性基板侧的面对313nm～436nm的波长区域的光的反射率为8％以下。

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