[发明专利]通过局部热处理进行的多层石墨烯表膜的同时双侧涂覆在审
| 申请号： | 201880050536.0 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110998435A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | E·库尔干诺娃;A·J·M·吉斯贝斯;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;彼得-詹·范兹沃勒;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/24;G03F7/20;G02B27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制造用于光刻设备的表膜的方法，所述方法包括：使用辐射加热(3)来局部加热所述表膜(4)，且在所述表膜的两侧上同时淀积涂覆材料。还披露了根据这种方法制造的表膜。还披露了在光刻设备中的具有双侧六方氮化硼涂层的多层石墨烯表膜。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 局部 热处理 进行 多层 石墨 烯表膜 同时 双侧涂覆 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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