[发明专利]相机模块及其制造方法以及电子装置有效
申请号: | 201880016448.9 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110431666B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 驹井尚纪 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提出了一种相机模块,其包括具有光入射侧的第一透镜基板。第一透镜基板包括:布置在第一透镜基板的贯通孔的内侧的透镜,和布置在第一透镜基板的光入射侧的相对侧的配线层。相机模块可以包括成像元件,该成像元件包括布置在基板的光入射侧的像素阵列,其中,成像元件电连接至第一透镜基板的配线层,且其中,成像元件的在与成像元件的光入射面平行的方向上的宽度小于第一透镜基板的在与第一透镜基板的光入射面平行的方向上的宽度。 | ||
搜索关键词: | 相机 模块 及其 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种相机模块,其包括:具有光入射侧的第一透镜基板,所述第一透镜基板包括:布置在所述第一透镜基板的贯通孔的内侧的透镜,和布置在所述第一透镜基板的光入射侧的相对侧的配线层;和成像元件,所述成像元件包括布置在基板的光入射侧的像素阵列,其中,所述成像元件电连接至所述第一透镜基板的所述配线层,且其中,所述成像元件的在与所述成像元件的光入射面平行的方向上的宽度小于所述第一透镜基板的在与所述第一透镜基板的光入射面平行的方向上的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的