[实用新型]MEMS器件有效
| 申请号： | 201822248710.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209835625U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;闻永祥;刘琛;张旭 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马陆娟 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件。该MEMS器件包括：在衬底上形成停止层；在停止层上形成结构层；以及将结构层图案化，从而形成具有倾斜侧壁的开口，其中，所述结构层的厚度大于等于预设值，形成所述结构层的步骤包括：利用等离子体增强化学气相沉积法在所述停止层上依次沉积多层二氧化硅，使MEMS器件具有足够的灵敏度以接收磁信号。本实用新型的有益效果是：在厚结构层中制作出具有倾斜侧壁的开口，且倾斜侧壁呈平直状，倾斜角度在30至60度之间，为在倾斜侧壁上制作其他结构提供了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 结构层 倾斜侧壁 停止层 等离子体增强化学气相沉积法 开口 本实用新型 二氧化硅 灵敏度 平直状 图案化 沉积 衬底 多层 预设 制作 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：/n衬底；/n停止层，位于所述衬底上；/n结构层，位于所述停止层上，其具有倾斜侧壁的开口；/n其中所述结构层的厚度大于等于预设值，所述结构层包括：在所述停止层上依次沉积的多层二氧化硅。/n
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