[实用新型]高效低成本N沟道MOS管驱动电路

摘要

本实用新型涉及一种高效低成本N沟道MOS管驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动；上桥驱动为低电平，三极管v16导通，电流从电阻R115、三极管v16流过，三极管t1打开，驱动电压传输到MOS管V1的G极，MOS管V1、MOS管V2导通。调整电阻R116、电阻w1调整MOS开关速度。上桥驱动为高电平时，三极管v16截止，集电极电流为0；三极管t1发射极和基极压降为0，三极管t1截止；MOS管门极电流通过三极管t2放电，MOS管V1、MOS管V2关闭。上桥驱动为高电平时，下桥驱动为低电平，两路为互补输出型，逻辑相反。本实用新型采用分立体器件搭建驱动电路，能够实现高效驱动。

主权项

1.一种高效低成本N沟道MOS管驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，其特征是：所述上桥驱动包括三极管v16，三极管v16的基极连接电阻R117的一端，电阻R117的另一端连接电压VDDA，三极管v16的发射极连接电阻R118的一端，电阻R118的另一端连接上桥驱动信号，三极管v16的集电极连接三极管t1的基极和电阻R115的一端，电阻R115的另一端连接三极管t1的发射极、电阻R101的一端、电容CD11的一端和二极管D1的负极，二极管D1的正极、电容CD11的另一端和电阻R101的另一端连接下桥驱动，三极管t1的集电极连接三极管t2的基极，三极管t2的集电极连接下桥驱动，三极管t2的发射极连接电阻R116的一端、电容C33的一端、电阻w1的一端和电阻w2的一端，电阻R116的另一端连接二极管D7的负极，二极管D7的正极连接电阻g1的一端，电阻g1的另一端连接下桥驱动，电容C33的另一端连接下桥驱动，电阻w1的另一端连接MOS管V1的栅极，MOS管V1的源极连接下桥驱动，MOS管V1的漏极连接MOS管V2的漏极、电容CD4的一端、电容C10的一端和电容C11的一端，电阻w2的另一端连接MOS管V2的栅极，MOS管V2的源极、电容CD4、电容C10和电容C11连接下桥驱动；所述下桥驱动包括三极管n1，三极管n1的基极连接电压VDDA，三极管n1的发射极连接电阻b2 的一端，电阻b2的另一端连接下桥驱动信号，三极管n1的集电极连接三极管t3的基极和电阻a2的一端，电阻a2的另一端和三极管t3的发射极连接上桥驱动，三极管t3集电极连接三极管t4的基极，三极管t4发射极连接电阻e2的一端、电容C14的一端、电阻w3的一端和电阻w4的一端，电阻e2的另一端连接二极管D19的负极，二极管D19的正极连接电阻g2的一端，电阻g2的另一端连接三极管t4的集电极、电容C14的另一端MOS管V3的源极、MOS管V4的源极、电阻R40的一端、电容CD4的另一端、电容C10的另一端和电容C11的另一端，电阻w3的另一端连接MOS管V3的栅极，MOS管V3的漏极、MOS管V4的漏极和电阻R40的另一端连接上桥驱动。