[实用新型]立式扩散炉有效
申请号: | 201821951611.4 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN208954949U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 张海林;刘国霞 | 申请(专利权)人: | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B31/06;C30B31/16 |
代理公司: | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人: | 刘雁君;李祺 |
地址: | 266109 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种立式扩散炉,包括竖向设置的炉体,所述炉体的内腔中安装有隔板,所述隔板位于炉体的顶部,并将内腔分隔为位于其上方的扩散腔和位于其下方的工作腔;所述炉体底部设置有与工作腔相连通出气管,所述炉体上安装有进气管,所述进气管内端伸入到炉体内的扩散腔中;所述隔板为设置有连通孔的孔板。立式扩散炉的炉体竖向设置,高温的工艺气体先进入扩散腔中水平分散,再通过隔板上的连通口向下流动到工作腔中,对工作腔中的硅片进行掺杂处理。工艺气体由隔板阻挡,再扩散腔中水平分散,能够消除气体自身重力对气体扩散的影响,使气体在扩散腔中能够扩散均匀,从而使工艺气体均匀的通过隔板的连通孔,对硅片进行掺杂作业,提高硅片的加工质量。 | ||
搜索关键词: | 隔板 扩散腔 炉体 工作腔 工艺气体 扩散炉 硅片 竖向设置 水平分散 进气管 连通孔 掺杂 内腔分隔 气体扩散 位于炉体 向下流动 出气管 连通口 内腔中 孔板 内端 伸入 体内 阻挡 扩散 加工 | ||
【主权项】:
1.一种立式扩散炉,其特征在于,包括竖向设置的炉体(1),所述炉体(1)的内腔中安装有隔板(2),所述隔板(2)位于炉体(1)的顶部,并将内腔分隔为位于其上方的扩散腔(11)和位于其下方的工作腔(12);所述炉体(1)底部设置有与工作腔(12)相连通出气管(3),所述炉体(1)上安装有进气管(4),所述进气管(4)内端伸入到炉体(1)内的扩散腔(11)中;所述隔板(2)为设置有连通孔(21)的孔板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造