[发明专利]消泡电镀设备在审
| 申请号： | 202011145091.X | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112239878A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 邢中豪 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/20;C25D17/00;C25D21/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种消泡电镀设备，包括：电镀腔，电镀腔的腔口位置处环绕有金属阴极，待镀晶圆能够覆盖在电镀腔的腔口上；电镀液中的离子在选择性扩散膜处具有特定的扩散方向；按照扩散方向设置选择性扩散膜于电镀腔中，位于扩散方向前方的电镀腔部分为扩散前腔，位于扩散方向后方的电镀腔部分为扩散后腔；金属阳极，金属阳极设于扩散前腔中，在金属阳极和金属阴极之间能够形成电场线；电场线平衡膜，电场线平衡膜设于扩散后腔中，用于平衡电场线穿过待镀晶圆的表面；超声震荡装置，包括相连的超声震荡探头和超声波发生器，超声波发生器用于控制超声震荡探头产生震荡超声波；超声震荡探头设于电镀腔中。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 设备 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种提高晶圆级阵列微结构电铸厚度均匀性的方法，通过在晶圆阴极外围安装辅助阴极并施加直流电流来保证整体阵列微结构表面电流密度分布的一致性，同时通过在晶圆阴极表面施加反向脉冲电流对阵列中微结构单元进行电化学微整平，基于辅助阴极和反向脉冲电流的高度协同作用，从而提高晶圆级阵列微结构电铸厚度均匀性。本发明克服了现有方法通用性差、加工效率低等不足，避免了传统电铸工艺中的边缘效应问题和反向脉冲电铸工艺中沉积速率低的问题，能够在4‑6英寸晶圆表面以2‑8A/dm
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- 贾斯廷·奥伯斯特;布莱恩·L·巴卡柳;托马斯·阿南德·波努司瓦米;史蒂文·T·迈耶;斯蒂芬·J·巴尼克二世 - 朗姆研究公司
- 2021-05-12 - 2023-05-16 - C25D7/12
- 可电镀纳米双晶铜和非纳米双晶铜以形成混合晶体结构，例如二合一铜通孔与RDL()结构或二合一铜通孔与柱结构。通过用氧化剂或其他化学试剂预处理非纳米双晶铜层的表面，可以在非纳米双晶铜层上电镀纳米双晶铜。替代地，可电镀纳米双晶铜以部分地填充介电层中的凹部，并可在纳米双晶铜上方电镀非纳米双晶铜以填充凹部。随后可去除铜覆盖层。
- 电镀铜的方法-202211354248.9
- 邢中豪;林建树;杨淋淋;冯秦旭;梁金娥 - 华虹半导体（无锡）有限公司
- 2022-10-31 - 2023-04-25 - C25D7/12
- 本发明提供一种电镀铜的方法，方法包括：步骤1)提供待电镀的晶圆，并将其置入电镀液内，其中，晶圆具有不同尺寸的通孔及沟槽，且晶圆的表面形成有第一铜籽晶层；步骤2)将短时脉冲电流通过电镀液以使得第一铜籽晶层的表面形成第二铜籽晶层，且短时脉冲电流大于10A；步骤3)对晶圆施加第一电镀电流以使得第二铜籽晶层的表面形成铜填充层以实现对通孔及沟槽的填充，且第一电镀电流小于10A，其作用时间大于短时脉冲电流的作用时间；步骤4)对所述晶圆施加第二电镀电流以使得铜填充层的表面形成铜层，且第二电镀电流大于20A。通过本发明解决了以现有的电镀铜方法对不同尺寸的通孔及沟槽进行填充时易产生空洞的问题。
- 一种晶圆双面电镀铜厚膜设备-202110147539.X
- 刘青云 - 深圳市永源微电子科技有限公司
- 2021-02-03 - 2023-04-14 - C25D7/12
- 本发明公开了一种晶圆双面电镀铜厚膜设备，其结构包括主机架、箱门、支撑台面、电镀装置、控制面板、警示灯，主机架下端右侧表面与箱门相铰接，并且主机架内部中端焊接有支撑台面，铜棒的下端处于放置装置内部，铜棒进行电解，吸附在晶圆的表面，空腔针体对气泡进行刺破，从排气孔往上端外侧进行排出，防止电镀的过程中晶圆表面的铜厚膜形成针孔，通过装夹块进行挤压，装夹块对晶圆外侧四个方位进行独立固定，从而将晶圆平稳的放置在电解槽内部，避免晶圆在进行电镀铜的过程中发生倾斜，提高晶圆表面电镀铜的均匀性，铜金属元素分散进入到下喷嘴内部，吸附在晶圆下表面，对晶圆下表面进行均匀的电镀铜。
- 一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法及应用-202111409308.8
- 沈文忠;王杨润乾;高超;刘洪 - 上海交通大学
- 2021-11-25 - 2023-04-07 - C25D7/12
- 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。
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