[实用新型]半导体层有效
申请号: | 201821715301.2 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN208954937U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 林建宏;刘振宇 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L29/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体层包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态的第一部分结晶形成,第二结晶部分由熔融态的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光区域与透光区域,部分透光区域对应于第一部分,透光区域对应于第二部分。第二结晶部分是由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分而形成。第一结晶部分是第一部分的晶格重新排列而形成。利用闪光灯搭配光罩照射而达成较大面积的结晶,且半导体层的不同部分可具有不同的结晶特性。 | ||
搜索关键词: | 透光区域 半导体层 光罩 半熔融态 结晶形成 熔融态 闪光灯 照射 晶格重新排列 结晶特性 结晶化 接面 搭配 | ||
【主权项】:
1.一种半导体层,其特征在于,该半导体层包含:一第一结晶部分,由一半熔融态的一第一部分结晶形成;以及一第二结晶部分,由一熔融态的一第二部分结晶形成,其中该半熔融态的该第一部分与该熔融态的该第二部分是由一闪光灯透过一第一光罩照射该第一部分与该第二部分而形成,该第一光罩包含一部分透光区域与一透光区域,该部分透光区域对应于该第一部分,该透光区域对应于该第二部分,该第一部分邻近该第二部分;该第二结晶部分是由该第一部分与该第二部分的一接面开始结晶化该第二部分而形成,该第一结晶部分是该第一部分的晶格重新排列而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宸鸿光电科技股份有限公司,未经宸鸿光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821715301.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种灯泡引丝自动卷绕装置
- 下一篇:晶圆及识别装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造