[实用新型]一种氧化型垂直腔面激光器有效

专利信息
申请号: 201821479837.9 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN208723310U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 姜勋财;汤宝;朱拓;余兵;吴振华 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 胡琦旖
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型属于光电子技术领域,公开了一种氧化型垂直腔面激光器,从下至上依次包括:N面电极、衬底、N型DBR、有源区、氧化限制层、P型DBR、P面电极;所述P型DBR为柱状台面,所述台面的中心设有氧化孔,所述台面包含有豁口,多个所述豁口环绕所述氧化孔均匀分布。本实用新型解决了现有技术中侧氧化后绝缘层的边缘的电流密度比中心区域高的问题,达到了缩减氧化深度,提高氧化精确度、节约氧化成本的技术效果。
搜索关键词: 垂直腔面激光器 本实用新型 豁口 台面 氧化孔 氧化型 绝缘层 光电子技术领域 氧化限制层 技术效果 中心区域 衬底 源区 柱状 环绕 节约
【主权项】:
1.一种氧化型垂直腔面激光器,其特征在于,从下至上依次包括:N面电极、衬底、N型DBR、有源区、氧化限制层、P型DBR、P面电极;所述P型DBR为柱状台面,所述台面的中心设有氧化孔,所述台面包含有豁口,多个所述豁口环绕所述氧化孔均匀分布。
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