[实用新型]微机电传感器和MEMS装置有效
申请号: | 201820262313.8 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN208150964U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | M·亚巴西加瓦蒂;D·卡尔塔比亚诺;A·皮科;A·A·波马里科;G·罗塞利;F·布拉格辛 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | 本公开涉及微机电传感器和MEMS装置,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。 | ||
搜索关键词: | 前表面 传感器裸片 裸片 帽状 压阻元件 微机电传感器 转换层 块体 半导体材料 彼此相对 表面面向 传感器模 垂直对应 区域平面 应力分布 耦合 凹槽处 图案化 下表面 横穿 紧凑 施加 延伸 转换 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种微机电传感器,其特征在于,包括:半导体材料的传感器裸片,具有第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面在水平面中延伸并且具有沿横向于所述水平面的垂直方向上的厚度;多个压阻元件,在所述第一表面处集成在所述传感器裸片中;帽状裸片,耦合到所述传感器裸片并覆盖所述多个压阻元件,所述帽状裸片具有第一表面和沿着所述垂直方向与所述第一表面相对的第二表面,所述帽状裸片的第二表面面向所述传感器裸片的第一表面;以及转换层,布置在所述传感器裸片的第一表面和所述帽状裸片的第二表面之间,所述转换层包括沿所述垂直方向通过所述转换层的整个厚度的凹槽,其中所述多个压阻元件相对于所述凹槽垂直布置,其中所述转换层被配置为将沿所述垂直方向施加至所述帽状裸片的第一表面或所述传感器裸片的第二表面中的至少一个的负载转换为在所述凹槽处作用在所述水平面中的所述传感器裸片中的平面应力分布。
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