[发明专利]干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201811634732.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727857B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;荆泉;陈力钧 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种干法刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。本发明的方法能把晶圆表面和晶圆背面的Si‑O‑Cl聚合物同时去除干净，并保证晶圆背面干净无Si‑O‑Cl颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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