[发明专利]一种带温度补偿的快闪存储器读取电路有效
申请号: | 201811614879.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109785875B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 郭晓锋;梁星 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/26 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 赵逸宸 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
为了提高NAND FLASH读取电路的可靠性,本发明提供了一种带温度补偿的快闪存储器读取电路,包括偏置电路、电流生成电路和电压产生电路;偏置电路用于提供参考电压V |
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搜索关键词: | 一种 温度 补偿 闪存 读取 电路 | ||
【主权项】:
1.一种带温度补偿的快闪存储器读取电路,其特征在于:包括偏置电路、电流生成电路和电压产生电路;偏置电路用于向电流生成电路提供参考电压VX,以及向电压产生电路提供参考电压VM;电流生成电路包括1:M的电流镜、NMOS管M1和电阻RS;电流镜的源端接VDD,输入端接NMOS管M1的漏端,输出端接所述电压产生电路;NMOS管M1的栅端接参考电压VX,源端通过电阻RS接地;电压产生电路包括运放二和反馈电阻R1、R2;反馈电阻R2的一端接运放二的输出端,反馈电阻R2的另一端通过反馈电阻R1接地;运放二的正输入端接参考电压VM,负输入端接电流镜的输出端以及反馈电阻R1、R2之间的节点,运放二的输出端输出读取电压VREAD;所述M以及R2、RS的阻值根据公式
选取,其中,
为闪存存储单元的阈值电压的温度系数,VTH,M1是NMOS管M1的阈值电压。
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