[发明专利]一种辅助图形的优化方法在审
申请号: | 201811591822.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109445244A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 卢意飞 | 申请(专利权)人: | 上海微阱电子科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种辅助图形的优化方法,包括以下步骤:步骤S01:建立OPC模型;步骤S02:选择用于辅助图形优化的测试图形;步骤S03:基于规则、模型和反向光刻计算方法,进行辅助图形的添加;步骤S04:根据测试图形的工艺窗口数据,选择辅助图形方案;步骤S05:简化辅助图形方案;步骤S06:获得优化的辅助图形添加规则。利用本发明对辅助图形方案进行优化,通过优选的测试图形,拟合运算得到较佳的辅助图形添加方案,并应用到OPC解决方案中,既节约了时间,又提高了辅助图形对主图形工艺窗口的有效提升。 | ||
搜索关键词: | 辅助图形 测试图形 优化 工艺窗口 主图形 光刻 拟合 优选 运算 节约 应用 | ||
【主权项】:
1.一种辅助图形的优化方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:建立OPC模型;步骤S02:选择用于辅助图形优化的测试图形;步骤S03:基于规则、模型和反向光刻计算方法,进行辅助图形的添加;步骤S04:根据测试图形的工艺窗口数据,选择辅助图形方案;步骤S05:简化辅助图形方案;步骤S06:获得优化的辅助图形添加规则。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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