[发明专利]光电集成器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法。该制备方法包括：在所述衬底上生长P掺杂Ge埋层、本征GeSn层、N掺杂Ge层、N掺杂Si层和保护层；刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述N掺杂Si层以及所述N掺杂Ge层分别形成LED和探测器的负电极区域；刻蚀第二指定区域的所述第一GeSn区、所述第二GeSn区以及所述第三GeSn区分别形成LED和探测器的正电极区域、锥形波导以及所述锥形波导两侧的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中生长隔离层，在所述锥形波导上生长覆盖层；形成金属电极最终制备出所述光电集成器件。本发明利用Si基改性Ge材料，形成Si衬底上发光器件、波导以及探测器件的同层单片光电集成器件，器件结构新颖、器件集成度高、工艺成本低。