[发明专利]像素电极结构有效

专利信息
申请号: 201811551792.6 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109491152B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 曹武 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1337
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提出一种像素电极结构。所述像素电极结构包括:十字主干电极,所述十字主干电极包括第一主干电极与第二主干电极,所述第一主干电极与所述第二主干电极相交而呈十字形状;分支电极,所述分支电极从所述十字主干电极延伸在所述十字形状的对角线方向上;及侧边主干电极,所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点,而与所述第二主干电极或所述第一主干电极平行;其中在所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点的位置处于所述侧边主干电极的非狭缝侧具有缺口。
搜索关键词: 像素 电极 结构
【主权项】:
1.一种像素电极结构,其特征在于,包括:十字主干电极,所述十字主干电极包括第一主干电极与第二主干电极,所述第一主干电极与所述第二主干电极相交而呈十字形状;分支电极,所述分支电极从所述十字主干电极延伸在所述十字形状的对角线方向上;及侧边主干电极,所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点,而与所述第二主干电极或所述第一主干电极平行;其中在所述侧边主干电极连接至所述第一主干电极或第二主干电极的端点的位置处于所述侧边主干电极的非狭缝侧具有缺口。
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