[发明专利]一种InGaAs-graphene肖特基结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811532159.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786557A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;温雷;李国强;高芳亮;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaAs‑graphene肖特基结太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、石墨烯和顶电极；所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴薄膜。本发明还公开了上述InGaAs‑graphene肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的InGaAs‑graphene肖特基结太阳电池不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基结 空穴传输层 制备 氨基 光电转换效率 甲氧基苯基 工艺成本 制备工艺 背电极 顶电极 螺二芴 石墨烯 外延层 衬底 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种InGaAs‑graphene肖特基结太阳电池，其特征在于，由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、石墨烯和顶电极；所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴薄膜。
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