[发明专利]用于对半导体晶片集成分解和扫描的系统在审
申请号: | 201811466084.2 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN110034042A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | T·约斯特;D·R·维德林;B·马特;J·卡泽尔;J·海因;J·S·李;J·M·金;S·H·苏蒂卡 | 申请(专利权)人: | 基础科学公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李隆涛 |
地址: | 美国内布*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了用于半导体晶片的集成分解和扫描的系统和方法,其中单个腔室用于分解和扫描感兴趣的晶片。 | ||
搜索关键词: | 半导体晶片 扫描 分解 单个腔室 系统描述 晶片 | ||
【主权项】:
1.一种采用喷嘴对半导体晶片的表面进行分解和扫描的方法,包括:利用喷雾器将分解流体喷洒到半导体晶片的表面上;在利用喷雾器将分解流体喷洒到半导体晶片的表面上之后,将喷嘴定位在所述半导体晶片的表面上方;将扫描流体引至所述喷嘴的入口端口,并且经由第一喷嘴端口将扫描流体流引导到所述半导体晶片的表面上;将所述扫描流体流通过所述喷嘴的细长通道沿着所述半导体晶片的表面朝向所述喷嘴的第二喷嘴端口引导;以及经由与所述喷嘴的出口端口流体连通的所述第二喷嘴端口从所述半导体晶片的表面移除所述扫描流体流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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