[发明专利]一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 201811452087.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109585621A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 武杰;易翰翔;郝锐;李玉珠;吴光芬 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;郝传鑫 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN buffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N‑型AlGaN阻挡层和N‑GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N/Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层量子阱结构。本发明提供的一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，其中，量子阱、垒均为AlInGaN材料生长，减少由材料不同带来的应力影响，从而提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 紫光LED 生长 制备 蓝宝石 温度调节 超晶格 上表面 衬底 量子阱结构 材料生长 发光效率 应力影响 量子阱 周期数 阻挡层 | ||
【主权项】：
1.一种紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN buffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N‑型AlGaN阻挡层和N‑GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N/Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层量子阱结构。
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