[发明专利]一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201811432400.4 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111232931B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;C01G9/02;C01G53/04;B82Y30/00;H10K50/16;H10K85/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述纳米金属氧化物的制备方法包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。通过本发明方法能够制得表面缺陷较少的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金属 氧化物 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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