[发明专利]一种铕掺杂的g-C3N4基半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811323925.4 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109337679A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 荣铭聪;邓湘舟 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋静娜 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铕掺杂的g‑C3N4基半导体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)将铕的水溶性无机盐、三聚氰酸、2,4‑二氨基‑6‑苯基‑1,3,5‑三嗪和超纯水混合，搅拌均匀，得到混合液；(2)将混合液烘干，得到白色固体前驱体；(3)将白色固体前驱体在惰性气体保护下，在450℃～550℃煅烧2～4h，自然冷却，得到所述铕掺杂的g‑C3N4基半导体材料，其中所述g‑C3N4基半导体材料中Eu含量为0～10wt％且不包括0wt％。本发明通过不同比例铕元素的掺杂，g‑C3N4基半导体材料的荧光可从亮蓝色红移至黄绿色。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 铕掺杂 制备 混合液 前驱体 惰性气体保护 水溶性无机盐 三聚氰酸 超纯水 二氨基 亮蓝色 烘干 荧光 苯基 红移 三嗪 煅烧 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种铕掺杂的g‑C3N4基半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将铕的水溶性无机盐、三聚氰酸、2,4‑二氨基‑6‑苯基‑1,3,5‑三嗪和超纯水混合，搅拌均匀，得到混合液；(2)将混合液烘干，得到白色固体前驱体；(3)将白色固体前驱体在惰性气体保护下，在450℃～550℃煅烧2～4h，自然冷却，得到所述铕掺杂的g‑C3N4基半导体材料，其中所述g‑C3N4基半导体材料中Eu含量为0～10wt％且不包括0wt％。
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