[发明专利]用于非易失性存储器的利用负阈值感测的感测放大器有效
| 申请号： | 201811323425.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109841237B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | H.阮;S.李 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/30;G11C16/34;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“用于非易失性存储器的利用负阈值感测的感测放大器”。本发明描述了一种用于存储器电路的感测放大器，该感测放大器可以感测到深负电压阈值区域中。通过将源极线通过存储器单元放电到位线和感测放大器来感测所选择的存储器单元。在通过存储器单元将源极线放电到感测放大器中时，放电路径上的电压电平用于将放电晶体管的导电率设置到与所选择的存储器单元的导电率相对应的水平。然后，感测节点通过放电晶体管放电。为了降低噪声，将去耦电容器连接到放电晶体管的控制栅极，并且辅助保持电流流过放电晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 利用 阈值 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：晶体管；第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关在所选存储器单元和晶体管之间串联连接，所述晶体管的控制栅极连接到介于所述第一开关和所述第二开关之间的节点，所述第一开关和所述第二开关被配置为当同时接通时通过所述晶体管使所选存储器单元放电，并且被配置为当所述第一开关和所述第二开关同时断开时，将所述晶体管的所述控制栅极设置为在介于所述第一开关和所述第二开关之间的所述节点上的电压电平浮动；和第三开关，所述第三开关连接在感测节点和所述晶体管之间，所述第三开关被配置为通过所述晶体管使所述感测节点放电，其中所述晶体管的所述控制栅极设置为在介于所述第一开关和所述第二开关之间的所述节点上的所述电压电平浮动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811323425.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：储存装置的储存结构与包含该储存结构的电子设备
- 下一篇：感测放大器电路
