[发明专利]一种高纯碳化硅粉及其制备方法有效
| 申请号： | 201811303462.5 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109264723B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤：1)将碳粉和硅粉置于可密封的体系中，充入惰性气体，得到碳粉硅粉混合物；2)将所述碳粉硅粉混合物经真空条件下的加热处理和惰性气体条件下的加热处理后，即制得所述的高纯碳化硅粉。该制备方法更为简单，无需多部工序即可合成高纯碳化硅粉。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯碳化硅 制备 碳粉 硅粉混合物 加热处理 半导体材料 惰性气体条件 惰性气体 真空条件 可密封 硅粉 合成 申请 | ||
【主权项】：
1.一种高纯碳化硅粉的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)将碳粉和硅粉置于可密封的体系中，充入惰性气体，得到碳粉硅粉混合物；2)将所述碳粉硅粉混合物经真空条件下的加热处理和惰性气体条件下的加热处理后，即制得所述的高纯碳化硅粉；所述步骤1)充入惰性气体之前对可密封的体系进行密封、抽真空处理；其中，所述步骤1)中的真空压力不大于10‑3Pa，充高纯惰性气体至700‑1100MPa，至少混合10h。
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