[发明专利]微加工超声换能器以及相关装置和方法有效
| 申请号： | 201811294704.9 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109290160B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·罗思伯格;苏珊·A·阿列;基思·G·菲费;内华达·J·桑切斯;泰勒·S·拉尔斯顿 | 申请（专利权）人： | 蝴蝶网络有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;谭天 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微加工超声换能器以及相关装置和方法。制造可以涉及两个单独的晶片接合步骤。晶片接合可以用于在衬底(302)中制造密封腔(306)。晶片接合也可用于将衬底(302)接合至另一衬底(304)，例如CMOS晶片。至少第二晶片接合可以在低温下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 超声 换能器 以及 相关 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成包括集成互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的芯片上超声装置的方法，所述方法包括：在第一晶片中形成腔，其中所述第一晶片包括绝缘体上硅(SOI)晶片；通过将第二晶片与所述第一晶片熔接以对所述腔进行密封来形成复合衬底，以及对所述复合衬底进行退火，其中所述第二晶片包括绝缘体上硅(SOI)晶片，其中形成所述复合衬底包括将所述第二晶片的硅器件层与形成在所述第一晶片的硅器件层的第一面上的氧化物层接合，所述腔形成在所述氧化物层中；在所述复合衬底的电极区域上形成导电接触件；在将所述复合衬底接合至其中形成有所述集成CMOS电路的第三晶片之前，去除所述第一晶片的操作层和埋氧(BOX)层；使用所述导电接触件将所述复合衬底接合至其中形成有所述集成CMOS电路的所述第三晶片；以及对所述复合衬底进行减薄以形成靠近所述腔的柔性膜片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蝴蝶网络有限公司，未经蝴蝶网络有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811294704.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
