[发明专利]集成电路

摘要

集成电路。一种静态随机存取记忆体单元包含第一至第五介电鳍片，其沿第一方向依序设置并以第二方向为长度方向，第一及第五介电鳍片定义静态随机存取记忆体单元的两边缘；第一N型半导体鳍片，设置于第一及第二介电鳍片之间；第二N型半导体鳍片，设置于第四及第五介电鳍片之间；第一P型半导体鳍片，设置于第二及第三介电鳍片之间；第二P型半导体鳍片，设置于第三及第四介电鳍片之间，每个第一及第二N型半导体鳍片以及每个第一及第二P型半导体鳍片以第二方向为长度方向；以及栅极结构，以第一方向为长度方向设置，栅极结构接合一或多个介电鳍片。

主权项

1.一种集成电路，其特征在于，包含：/n一第一静态随机存取记忆体(SRAM)单元，以一第一方向为该第一SRAM单元的长度方向且以一第二方向为该第一SRAM单元的宽度方向，其中该第二方向大致垂直于该第一方向，其中该第一SRAM单元包含：/n一第一介电鳍片、一第二介电鳍片、一第三介电鳍片、一第四介电鳍片以及一第五介电鳍片，沿该第一方向依序设置并以该第二方向为该第一至第五介电鳍片的长度方向设置，其中该第一与第五介电鳍片定义该第一SRAM单元的二个侧边；/n一第一P型半导体鳍片，设置于该第一及第二介电鳍片之间；/n一第二P型半导体鳍片，设置于该第四及第五介电鳍片之间；/n一第一N型半导体鳍片，设置于该第二及第三介电鳍片之间；/n一第二N型半导体鳍片，设置于该第三及第四介电鳍片之间，其中每该第一及第二P型半导体鳍片以及每该第一及第二N型半导体鳍片以该第二方向为长度方向设置；以及/n多个栅极结构，以该第一方向为所述多个栅极结构的长度方向设置，其中所述多个栅极结构沿该第二方向分隔开来，其中所述多个栅极结构接合该第一至第五介电鳍片、该第一及第二N型半导体鳍片以及该第一及第二P型半导体鳍片的一或多个。/n