[发明专利]一种基于AMR效应的传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种AMR传感器结构及其制作方法，包括基底，沉积在基底上的若干平行的磁阻条，连接磁阻条的惠斯通电桥结构，以及均匀覆盖于磁阻条上的若干巴贝电极；基底设在两对相对设置的一级电极之间，在衬底两侧对称分布有二级电极，磁阻条设在二级电极之间，巴贝电极平行倾斜分布在二级电极与磁阻条之间；在二级电极两端部设有功能层。该传感器可以获得更大的变化率，同时可以有效提高传感器的灵敏度，有效的提高了器件的工作效率和应用范围。

主权项

1.一种基于AMR效应的传感器结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，对Si基底进行超声清洗，吹干，烘箱内烘干；步骤2，在Si基底上滴加光刻胶后，在匀胶机上先以低速旋转使得光刻胶覆盖Si片，再以高速旋转使得光刻胶厚度均匀；步骤3，将旋涂光刻胶的Si基底放入烘箱内加热，使得光刻胶完全固化；步骤4，经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行紫外线曝光；步骤5，显影，去除多余的光刻胶，在Si基底上留下第一预定义图形；步骤6，利用磁控溅射薄膜生长技术，在处理好的基底上生长磁阻薄膜层；步骤7，去除第一层光刻胶；步骤8，在生长有磁阻层的Si基底上滴加光刻胶后，重复步骤2‑5，在Si基底上留下第二预定义图形；步骤9，利用磁控溅射薄膜生长技术，在处理好的基底上生长导电金属层，其中巴贝电极与磁阻条的角度可以改变；步骤13，去除第二层光刻胶，即完成结构传感器的制作。