[发明专利]一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器

摘要

本发明公开了一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明探测器改进了传统外延层结构参数，将n型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见‑短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。

主权项

1.一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器，包括n型InP接触层(1)、InGaAs吸收层(2)、p型InP接触层(3)、铟柱(4)、读出电路(5)、绒面抗反膜(6)，其特征在于：所述探测器的结构为：在p型InP接触层(3)之上依次是InGaAs吸收层(2)、n型InP接触层(1)和绒面抗反膜(6)，在p型InP接触层(3)另一面上通过铟柱(4)联有读出电路(5)；所述绒面抗反膜(6)由多层增透膜(6‑1)和类纳米锥结构(6‑2)构成，多层增透膜(6‑1)采用ZnS、Ta2O5、SiO2或SiNx，其折射率介于InP和空气之间，层数为1～4层；类纳米锥结构(6‑2)采用金字塔、圆锥、三角锥、方锥、纳米柱、三角柱或方柱亚波长结构；所述n型InP接触层(1)厚度为5～30nm；所述InGaAs吸收层(2)厚度为2.5μm或3μm；所述InGaAs探测器p型InP接触层(1)厚度为1μm。