[发明专利]半导体封装结构与其制造方法在审
| 申请号： | 201811215314.8 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109449129A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 粘为裕;黄国峰 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李玉锁;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体封装结构与其制造方法，所述半导体封装结构包括基板、至少一电子元件、加热层、绝缘层以及电磁遮蔽层。基板包括第一接垫以及第二接垫，电子元件装设于基板上，加热层位于电子元件之上，且提供一热能至电子元件，且加热层与第一接垫以及第二接垫电性连接，电磁遮蔽层位于加热层之上，而绝缘层位于加热层与电磁遮蔽层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 加热层 接垫 半导体封装结构 电磁遮蔽层 基板 绝缘层 电性连接 装设 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于该半导体封装结构包括：基板，包括第一接垫以及第二接垫，该第一接垫以及该第二接垫配置于该基板的侧面；至少一电子元件，装设于该基板上；加热层，位于该电子元件的四周及上方，该加热层提供热能至该电子元件，该加热层与该第一接垫以及该第二接垫电性连接，且该加热层与该电子元件之间形成空腔；以及电磁遮蔽层，位于该加热层的外侧；绝缘层，位于该加热层与该电磁遮蔽层之间。
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