[发明专利]一种并联充电和独立电感均衡电路及其控制方法在审
申请号: | 201811157865.3 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109120039A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李博;刘红锐;杜春峰;陈仕龙 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01M10/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种并联充电和独立电感均衡电路及其控制方法,本发明可以实现并联充电,当任意一个单体电池达到设定的截止电压时便将该单体电池隔离出充电电路,最终所有单体电池都因达到所设定的充电截止电压而停止充电从而达到强制均衡目的。放电均衡通过对Mosfet开关的PWM控制从而将最高SOC(荷电状态也叫剩余电量,代表的是电池使用一段时间或长期搁置不用后的剩余容量与其完全充电状态的容量的比值,常用百分数表示)单体电池中的能量转移到最低SOC单体电池中,有效减小各单体电池间的不一致性。 | ||
搜索关键词: | 单体电池 并联充电 独立电感 均衡电路 充电截止电压 不一致性 充电电路 充电状态 电池使用 放电均衡 荷电状态 截止电压 能量转移 剩余电量 剩余容量 停止充电 减小 搁置 隔离 均衡 | ||
【主权项】:
1.一种并联充电和独立电感均衡电路,其特征在于:由电池组、电感L、继电器NCj、Mosfet开关Mi、Mosfet开关Pi、Mosfet开关Ni、Mosfet开关Qi、Mosfet开关A1、Mosfet开关A2、Mosfet开关B、Mosfet开关G、高反向电压肖基特二极管I、高反向电压肖基特二极管R、高反向电压肖基特二极管Di1、高反向电压肖基特二极管Di2、高反向电压肖基特二极管K、高反向电压肖基特二极管Ei1构成;所述电池组由n个单体电池Ci组成,每两个相邻的单体电池间串接一个常闭继电器NCj,高反向电压肖基特二极管Di1的阴极和Mosfet开关Pi的漏极都接在电池Ci的正极上;高反向电压肖基特二极管的Di1阳极接在Mosfet开关Mi的源极上,Mi的漏极接在高反向电压肖基特二极管I的阴极和高反向电压肖基特二极管R的阴极上,高反向电压肖基特二极管I的阳极接在Mosfet开关A1的源极上,Mosfet开关A1的漏极接在单体电池C1的正极上,高反向电压肖基特二极管R的阳极接在电感L的输出端和Mosfet开关G的漏极上;Mosfet开关Pi的源极接在高反向电压肖基特二极管Ei1的阳极上,高反向电压肖基特二极管Ei1的阴极接在电感L的输入端和高反向电压肖基特二极管K的阴极上;高反向电压肖基特二极管Di2的阳极和高反向电压肖基特二极管Ei2的阴极都接在电池Ci的负极上,高反向电压肖基特二极管Di2的阴极接在Mosfet开关Ni的漏极上,Mosfet开关Ni的源极接在Mosfet开关A2和Mosfet开关B的漏极上,Mosfet开关A2的源极接在高反向电压肖基特二极管J的阳极上,高反向电压肖基特二极管J的阴极接在单体电池Cn的负极上,Mosfet开关B的源极接在高反向电压肖基特二极管K的阳极上,高反向电压肖基特二极管K的阴极接在高反向电压肖基特二极管Ei1的阴极和电感L的输入端上;高反向电压肖基特二极管Ei2的阳极接在Mosfet开关Qi的源极上,Mosfet开关Qi的漏极接在Mosfet开关G的源极上;其中,j=1,2,3...,n‑1,i=1,2,3...,n。
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