[发明专利]真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法在审
| 申请号： | 201811092132.6 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109355710A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 魏旭东;夏伟锋 | 申请（专利权）人： | 上海迈铸半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法，真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统包括：真空腔室，真空腔室包括腔室壳体及位于腔室壳体内的真空容纳腔室，腔室壳体上形成有与真空容纳腔室相连通的开口；加热器，位于真空腔室内，用于放置待处理结构，并对待处理结构进行加热，待处理结构至少包括待处理晶圆；环形可调节支撑结构，插入至真空腔室内，且压置于待处理结构上；冷却系统，至少部分位于环形可调节支撑结构内。本发明的真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统可以在不影响真空腔室正常工作的前提下对真空腔室内待冷却的结构进行快速冷却；且可以根据需要灵活调节冷却速率。 | ||
| 搜索关键词： | 真空腔 快速冷却系统 半导体晶圆 处理结构 可控 可调节支撑结构 腔室壳体 容纳腔室 真空腔室 室内 冷却 加热器 快速冷却 冷却系统 影响真空 腔室壳 晶圆 腔室 加热 开口 体内 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统，其特征在于，所述真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括腔室壳体及位于所述腔室壳体内的真空容纳腔室，所述腔室壳体上形成有与所述真空容纳腔室相连通的开口；加热器，位于所述真空腔室内，用于放置待处理结构，并对所述待处理结构进行加热，所述待处理结构至少包括待处理晶圆；环形可调节支撑结构，经由所述开口插入至所述真空腔室内，且压置于所述待处理结构上；冷却系统，至少部分位于所述环形可调节支撑结构内，用于对加热处理后的所述待处理结构进行快速冷却处理。
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