[发明专利]量子点发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811089200.3 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN110911570B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 金一政;张振星 申请(专利权)人: 浙江大学;纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟;谢湘宁
地址: 310058 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括:提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件;采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理,得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理,一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因,其表面通常带氢氧根离子配体)反应,形成酸根离子配体和生成水,从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体;另一方面,酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体,减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键,从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭,进而提高器件的发光效率。
搜索关键词: 量子 发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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