[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201811033230.2 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109244039B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 蔡鹏;王有为;时永祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L51/56;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种显示面板及显示面板的制造方法,涉及显示技术领域。该制造方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管层;在薄膜晶体管层远离衬底基板的表面形成开孔,开孔至少穿透薄膜晶体管层;形成覆盖开孔的剥离体,剥离体填充开孔;在形成有剥离体的薄膜晶体管层上形成有机发光器件层,且有机发光器件层在剥离体的侧壁断开;在有机发光器件层远离薄膜晶体管层的表面形成封装层,且封装层在剥离体的侧壁断开;至少去除剥离体的预设区域,以露出开孔,预设区域包括剥离体填充开孔内的部分及投影位于开孔内的部分。本公开的制造方法,可避免因开孔而造成显示面板损坏,保证产品质量。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管层;在所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的表面形成开孔,所述开孔至少穿透所述薄膜晶体管层;形成覆盖所述开孔的剥离体,所述剥离体填充所述开孔;在形成有所述剥离体的薄膜晶体管层上形成有机发光器件层,且所述有机发光器件层在所述剥离体的侧壁断开;在所述有机发光器件层远离所述薄膜晶体管层的表面形成封装层,且所述封装层在所述剥离体的侧壁断开;至少去除所述剥离体的预设区域,以露出所述开孔,所述预设区域包括所述剥离体填充所述开孔内的部分及投影位于所述开孔内的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811033230.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法
- 下一篇:发光元件搭载用封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造