[发明专利]量子级联激光光源的制造方法在审
| 申请号： | 201811031724.7 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109462141A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 伊藤昭生;藤田和上;河口大祐;道垣内龙男;枝村忠孝 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 量子级联激光光源的制造方法包括：准备半导体层叠体(20)的工序；形成一对第一挖入部(41、42)和以被该一对第一挖入部(41、42)夹持的方式形成的脊部(30)的工序；形成沟道结构(51、52)和以在与脊部(30)之间夹着沟道结构(51、52)的方式形成的周缘部(61、62)的工序；以与第一区域(29a)相接的方式形成电极图案(81)并且以与第二区域(22a)相接的方式形成电极图案(82)的工序；将结晶生长面侧固定于支承基板(91)的工序；去除Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板(21)的工序；固定Si基板(93)的工序；和剥离支承基板(91)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 方式形成电极 沟道结构 激光光源 支承基板 级联 脊部 量子 半导体层叠体 图案 结晶生长面 单晶基板 第二区域 第一区域 半绝缘 周缘部 夹持 去除 制造 掺杂 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种量子级联激光光源的制造方法，其特征在于，包括：准备在磷化铟基板上依次层叠有下部接触层、下部包覆层、下部引导层、活性层和上部引导层的半导体层叠体的工序；在所述半导体层叠体中，部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部包覆层露出的一对第一挖入部和以被该一对第一挖入部夹持的方式形成的脊部的工序；在所述第一挖入部中掺杂层生长，进一步在所述第一挖入部和所述脊部中上部包覆层和上部接触层生长，之后，在所述一对第一挖入部中，分别部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部接触层露出的第二挖入部和以在与所述脊部之间夹着所述第二挖入部的方式形成的周缘部的工序；除了作为所述脊部中的所述上部接触层的一部分的区域的第一区域和作为所述第二挖入部中的所述下部接触层的一部分的区域的第二区域而形成绝缘膜之后，以与所述第一区域相接的方式形成第一电极并且以与所述第二区域相接的方式形成第二电极，而形成半导体元件的工序；将作为所述半导体元件中的形成有所述第一电极和所述第二电极的一侧的结晶生长面侧固定于支承基板的工序；去除固定于所述支承基板的所述半导体元件的所述磷化铟基板的工序；在所述半导体元件中的去除了所述磷化铟基板的面固定硅基板的工序；和在所述硅基板被固定之后，从所述半导体元件剥离所述支承基板的工序。
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